研發中心
圍繞企業級 SSD、AI 伺服器儲存、SSD 主控與韌體、半導體器件工程應用，構建面向高可靠電子場景的產品研發與工程驗證能力。
研發聚焦方向
圍繞現有客戶和未來產品路線展開，構建四大核心研發方向
企業級 SSD 產品化
聚焦 PCIe 4.0 / PCIe 5.0 U.2、E3.S 等形態，圍繞效能、可靠性、功耗、韌體管理開展產品化研發
控制器IC與韌體演算法
關注 FTL 映射、LDPC 糾錯、掉電保護、磨損均衡、垃圾回收、資料放置策略與AI推理儲存加速
AI 伺服器儲存模組
面向 AI 訓練、推理、KV Cache、資料預處理和快取記憶體場景，提供高頻寬、低延遲儲存方案，包括HBM異構整合封裝與微流道熱管理
資料平臺與智慧分析
自研電子元件管理、晶片資料分析、大數據流式計算、質量校驗治理、AI晶片最佳化設計等軟體平臺，形成完整工程化支撐體系
研發能力地圖
六大核心能力支撐產品研發全流程
產品定義能力
根據客戶場景定義 SSD、記憶體、半導體器件產品規格
硬體設計能力
圍繞 PCB、介面、電源、訊號完整性、散熱結構進行方案設計
韌體演算法能力
聚焦 FTL、GC、磨損均衡、LDPC、SMART、Telemetry 等方向
測試驗證能力
建立效能、可靠性、相容性、功耗、溫升、掉電保護等驗證流程
供應鏈工程能力
將研發規格轉化為可採購、可生產、可交付的 BOM 與供應商體系
客戶場景適配能力
針對 AI 伺服器、資料中心、工控、新能源客戶做應用適配
技術路線圖
從供應鏈服務到自主產品化的清晰路徑
階段一
2025
PCIe 5.0 NVMe 2.0 SSD 量產、M.2/U.2/E3.S 全形態覆蓋、AI 儲存模組
階段二
2025–2026
PCIe 5.0 U.2/E3.S 企業級 SSD 全系列、自研主控韌體、CXL 儲存擴展裝置
階段三
2026–2027
PCIe 6.0 預研、自主主控晶片流片、CXL 3.0 記憶體語義儲存、HBM4 整合
階段四
2027+
下一代儲存平臺、PCIe 6.0 量產、存算一體架構、全棧自主可控
注：所有未完成內容均標註真實研發狀態，不存在虛假宣傳。
測試驗證體系
建立覆蓋效能、可靠性、相容性、溫度、功耗、資料完整性的全方位驗證流程
效能測試
順序讀寫、隨機讀寫、混合負載、佇列深度、延遲
可靠性測試
長時間壓力測試、老化測試、壞塊監控、壽命評估
掉電保護測試
異常斷電、資料一致性、快取刷寫機制
溫度測試
高低溫、滿載溫升、散熱路徑評估
功耗測試
空閒、讀寫、混合負載、峰值功耗
相容性測試
主機板、伺服器、作業系統、RAID 卡、BIOS
資料完整性
CRC、ECC、端到端保護、誤碼監控
客戶場景驗證
資料庫、AI 訓練、檔案系統、日誌、虛擬化