供給端：產能擴張受限
2024-2025年的行業下行週期導致各大NAND廠商大幅削減資本支出，推遲了新產線的建設計劃。進入2026年，雖然需求強勁復甦，但產能恢復需要12-18個月的週期，供給彈性嚴重不足。
從技術層面看，3D NAND的層數競賽已進入200+層時代（三星V9 236層、美光G9 276層），但高層數堆疊帶來的良率挑戰和裝置投資壓力，使得有效產能增長放緩。同時，QLC（四層單元）雖然提升了單位面積的儲存密度，但其耐久性限制使其難以完全替代TLC在企業級市場的地位。
需求端：AI與資料中心驅動增長
AI訓練和推理工作負載對高效能SSD的需求呈爆發式增長。單臺AI訓練伺服器通常配置50-100TB的NVMe SSD用於資料集儲存和模型檢查點。隨著AI伺服器出貨量的快速增長，企業級SSD對NAND Flash的消耗量大幅提升。
此外，智慧手機儲存容量的持續升級（旗艦機型已標配512GB-1TB）、PC SSD容量從512GB向1-2TB遷移，以及汽車智慧化帶來的車載儲存需求，共同推動NAND Flash需求的全面增長。
價格走勢預判
綜合供需分析，2026年NAND Flash合約價預計全年維持上漲態勢。Q1-Q2漲幅約10-15%/季度，下半年隨著部分新產能釋放，漲幅可能收窄至5-10%/季度。全年累計漲幅預計在30-50%區間。
現貨市場由於流通庫存偏低，價格波動將更為劇烈，對分銷商的渠道資源和庫存管理能力提出了更高要求。
軍航科工的NAND Flash業務
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