研发中心
围绕企业级 SSD、AI 服务器存储、SSD 主控与固件、半导体器件工程应用，构建面向高可靠电子场景的产品研发与工程验证能力。
研发聚焦方向
围绕现有客户和未来产品路线展开，构建四大核心研发方向
企业级 SSD 产品化
聚焦 PCIe 4.0 / PCIe 5.0 U.2、E3.S 等形态，围绕性能、可靠性、功耗、固件管理开展产品化研发
控制器IC与固件算法
关注 FTL 映射、LDPC 纠错、掉电保护、磨损均衡、垃圾回收、数据放置策略与AI推理存储加速
AI 服务器存储模块
面向 AI 训练、推理、KV Cache、数据预处理和高速缓存场景，提供高带宽、低延迟存储方案，包括HBM异构集成封装与微流道热管理
数据平台与智能分析
自研电子元件管理、芯片数据分析、大数据流式计算、质量校验治理、AI芯片优化设计等软件平台，形成完整工程化支撑体系
研发能力地图
六大核心能力支撑产品研发全流程
产品定义能力
根据客户场景定义 SSD、内存、半导体器件产品规格
硬件设计能力
围绕 PCB、接口、电源、信号完整性、散热结构进行方案设计
固件算法能力
聚焦 FTL、GC、磨损均衡、LDPC、SMART、Telemetry 等方向
测试验证能力
建立性能、可靠性、兼容性、功耗、温升、掉电保护等验证流程
供应链工程能力
将研发规格转化为可采购、可生产、可交付的 BOM 与供应商体系
客户场景适配能力
针对 AI 服务器、数据中心、工控、新能源客户做应用适配
技术路线图
从供应链服务到自主产品化的清晰路径
阶段一
2025
PCIe 5.0 NVMe 2.0 SSD 量产、M.2/U.2/E3.S 全形态覆盖、AI 存储模块
阶段二
2025–2026
PCIe 5.0 U.2/E3.S 企业级 SSD 全系列、自研主控固件、CXL 存储扩展设备
阶段三
2026–2027
PCIe 6.0 预研、自主主控芯片流片、CXL 3.0 内存语义存储、HBM4 集成
阶段四
2027+
下一代存储平台、PCIe 6.0 量产、存算一体架构、全栈自主可控
注：所有未完成内容均标注真实研发状态，不存在虚假宣传。
测试验证体系
建立覆盖性能、可靠性、兼容性、温度、功耗、数据完整性的全方位验证流程
性能测试
顺序读写、随机读写、混合负载、队列深度、延迟
可靠性测试
长时间压力测试、老化测试、坏块监控、寿命评估
掉电保护测试
异常断电、数据一致性、缓存刷写机制
温度测试
高低温、满载温升、散热路径评估
功耗测试
空闲、读写、混合负载、峰值功耗
兼容性测试
主板、服务器、操作系统、RAID 卡、BIOS
数据完整性
CRC、ECC、端到端保护、误码监控
客户场景验证
数据库、AI 训练、文件系统、日志、虚拟化