FLEX 9 的两种形态：E1.S 与 E3.S 在 Gen5 高密度节点上的散热、掉电保护与背板取舍
FLEX 9 系列以同一 PCIe 5.0 平台分出两条形态分支：J100E/J130E 采用 E3.S，J100S/J130S 采用 E1.S。本文说明两种形态在可用功耗预算、PLP 储能布局、载板与机箱背板适配上的具体差异，以及为什么 OCP 云数据中心的计算节点与存储/AI 节点需要两种形态长期并存。相关结论来自设计阶段的工程判断。
DDR5 服务器内存四条分支怎么选：RDIMM 4800/6400、ECC UDIMM 5600、VLP 与 3DS 256GB 的边界
军航科工半导体梳理 DDR5 服务器内存产品线的四条分支，说明 RDIMM 4800 与 6400 的平台对应关系、ECC UDIMM 5600 的入门服务器定位、VLP ECC RDIMM 在 1U 与刀片机箱高度约束下的取舍，以及 3DS ECC RDIMM 256GB 通过 TSV 堆叠实现单条大容量的原理与选型边界，并给出与 CXL 2.0 内存扩展的分工判据。
QLC 的写放大账怎么算：Q9 系列 J960Q/J960QD 的耐久机理与双端口取舍
QLC 盘的寿命不由主机写入量单独决定，而由写入量乘以写放大系数对照介质的 P/E 预算。本文从擦除块、编程页与间接单元的粒度关系出发，说明写放大的真实来源，检查点写入形态为何能把它压回下限，以及 J960QD 的双端口在阵列层面同样是一笔耐久账。相关指标为规划值，型号仍在产品定义/EVT 阶段收敛。
从电容能量预算到 NVMe-MI：企业级功能基线的四项落地细节
企业级 SSD 与消费级的差距，很多时候不在带宽数字，而在 PLP、T10 DIF/DIX、多命名空间、NVMe-MI 这些不写在首页的能力上。本文按四个方向拆开我们在 J750/J770 平台上的实现思路与工程约束，文中规格均为规划值。
JH-ZS101 智能测试设备：600 片并行老化背后的产能与证据链设计
EVT 阶段最容易被低估的成本不是芯片，而是测试时间。自研 JH-ZS101 单次可测 600 片 SATA SSD 或 480 片 NVMe SSD，把开卡到老化的五项流程做在一台设备里，本文说明这套设备解决的具体工程问题。
主控实施路线解析：外部 Gen4 主控加自研固件，如何为 JHC400 收敛接口与验证
CORE 7 与 TITAN 7 采用外部 Gen4 企业级主控加军航自研固件的分工。本文说明这一起步方式的风险考量、自研固件在 FTL、QoS 与纠错策略调度上承担的具体职责，以及向自研主控平台 JHC400 迁移时的硬件抽象层与验证复用策略。
推理集群里的三层盘：X9 承接 KV Cache、Q9 装检查点与超大阵列、TITAN 9 做在线库
AI 推理规模化改变了存储层的负载形态：KV Cache 溢出带来小块随机读与高频覆写，检查点则是低频大块顺序写。本文解释这两端为何分别对应 X9 超低延迟高耐久型号与 Q9 大容量 QLC，以及同一集群内分层的工程逻辑。
L2P 表放不进 DRAM 之后：映射分级缓存与间接单元粒度
映射表大小随容量线性增长，全表常驻 DRAM 在大容量档位上不成立。本文拆解 SRAM、DRAM、NAND 三级映射缓存的代价差异、未命中如何抬高 p99.9 尾延迟，以及间接单元放大与小写放大之间的取舍如何决定 Q 系列与 X 系列的不同选择。
垃圾回收的成本账：有效页比例、OP 与稳态写放大
写放大约等于 1 除以 1 减有效页比例，这条曲线在高占用区间极陡。本文从搬移成本模型讲到前后台带宽争用，说明 OP 如何同时改变耐久与稳态随机写，并解释为什么全新盘上测出的写性能不能写进规格。
磨损分布的上尾决定寿命：静态均衡与块交换的代价
只做动态均衡的设备会形成双峰磨损分布，冷数据把低磨损块长期冻结。本文说明静态均衡的触发门限如何在无谓搬移与偏斜积累之间取值，以及为什么分布收敛程度直接决定可承诺的 DWPD。
多队列绑核与中断聚合：NVMe 并行调度在 Gen4 平台上的取舍
以 CORE 7 系列 J750/J770 的 1,500 KIOPS 随机读目标为参照，拆解队列数量、绑核方式、doorbell 写入与中断聚合窗口之间的相互制约。
写完成响应之后：企业级 SSD 掉电保护的持久化语义与上电重建
掉电保护的核心问题不是硬件参数，而是语义边界：盘对主机承诺了什么，映射与数据以什么顺序变成持久状态，上电后又如何判定哪些写入算数。本文按持久化承诺、提交顺序、上电重建、主机侧配合与不变量验证五条线索，拆解 J750/J770 上 PLP 的设计思路。
共 118 篇文章 · 第 1/10 页