M.2 NVMe SSD フルラインアップ
JHNN5G9XT
M.2 2280 PCIe 5.0 NVMe 2.0 フラッグシップSSDです。512GB~4TB、読出し最大12,000MB/s・書込み10,000MB/sを実現し、AI演算と高性能コンピューティングのために設計されています。
eTLC512GB~4TBM.2 2280 PCIe Gen5 x4読出し 最大 12000MB/s書込み 最大 10000MB/s
主な用途:データセンターAIコンピューティングHPC産業制御
仕様
| NANDフラッシュ | eTLC |
|---|---|
| インターフェース | M.2 2280 M Key PCIe Gen5 x4 (NVMe 2.0) |
| 容量 | 512GB~4TB |
| シーケンシャル読出し（最大） | 最大 12000MB/s |
| シーケンシャル書込み（最大） | 最大 10000MB/s |
| 4Kランダム読出しIOPS | 1,500,000 |
| 4Kランダム書込みIOPS | 280,000 |
| DWPD（1日全容量書込み回数） | 1~3 DWPD |
| 消費電力（最大） | < 10W |
| MTBF（平均故障間隔） | 200万時間 |
| 落下試験 | 1500G / 0.5ms |
| 振動試験 | 80Hz~2000Hz / 20G |
| 入力電圧 | DC 3.3V ± 5% |
| 動作温度 | 0°C~70°C |
| 保存温度 | -40°C~85°C |
| 湿度 | 5%～95%RH（結露なきこと） |
| 外形寸法 | 長さ80.0mm × 幅22.0mm × 高さ2.1mm ± 0.15mm |
*1 容量やテスト環境により読み書き速度は多少異なる場合があります。*2 特定用途向けのカスタマイズに対応可能です。
特殊機能
電源断保護（PLP）対応
書込み保護非対応
ワンタッチ物理消去非対応
AESハードウェア暗号化対応
DRAMキャッシュ対応
製品の特長
静的・動的ウェアレベリング / S.M.A.R.T. 検出 / TRIM コマンド / ガベージコレクション機能に対応
過剰プロビジョニング / セキュア消去機能に対応
フルスピードコマンドキューイング / ECCエラー検出・訂正機能に対応
電源管理およびインテリジェント管理技術に対応
高効率放熱設計・温度センサー内蔵